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                      硅衬底LED芯片

                      晶能光电硅衬底大功率LED芯片是基于获得2015年度国家技术发明奖一等奖的硅衬底氮化镓基LED技术制造,具有电流分布均匀扩散快,单面出光,方向性好,光品质好,所以特别适合汽车照明、探照灯、矿灯等移动照明、手机闪光灯以及光品质要求比较高的高端照明领域。


                      产品型号尺寸 (mil)电流范围 (mA)主波长 (nm)?
                      LPTBG32B?32x32?350~500445~465?
                      LPTBG36A?36x36?350~700445~465?
                      LPTBG45A45x45?350~1000445~465?
                      LPTBG56D56x56?350~1500445~465?
                      LPTBG81B81x81350~2000445~465


                      应用领域

                      便携式照明

                      手机闪光灯

                      车用照明

                      特殊照明

                      室内外照明

                      特点和优点

                      ● 采用银反射镜电极,电流分布更均匀,可用大电流驱动

                      ● 硅衬底比蓝宝石衬底散热好

                      ● 具有朗伯发光形貌,白光出光均匀,容易二次配光

                      ● 打线少,可靠性高

                      ● 可采用导电银胶,焊锡或共晶焊固晶

                      ● 硅衬底LED芯片单面出光,且分布均匀,适合做荧光粉直涂的直接白光芯片,降低封装成本

                      ● 适合于陶瓷基板封装,使大功率封装容易自动化

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