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                      IR LEDs 筛选

                      IE 3W

                      采用大功率 42mil?红外芯片,利用大功率陶瓷封装技术(陶瓷基板+硅胶透镜),实现高导热率和耐大电流性能,同时拥有独特的光学设计和全系列角度(30°、60°、80°、90°、120°、160°),可以满足安防领域不同角度需求。


                      产品优势

                      高导热氧化铝陶瓷基材

                      耐大电流封装技术

                      独特的光学设计

                      更好的散热、低热阻


                      产品特征

                      大功率陶瓷封装,多角度光学设计

                      42mil红外芯片

                      尺寸:3.5x3.5mm

                      支持表面贴片技术(SMT)

                      热电分离焊盘设计

                      产品展示

                      电性参数: (T solder pad =25℃)?
                      产品型号

                      峰值波长

                      ?(nm)

                      总辐射能量

                      (mW)

                      电压 (V)

                      指向性? ? ??

                      ?(degree)

                      电流?

                      (mA)

                      LED高度
                      Typ.??Max.?
                      IEP8530Y850nm800~10001.62.235°10003.55mm
                      IEP8584K850nm800~10001.62.260°10002.60mm
                      IEP85120K850nm800~10001.62.280°10002.45mm
                      IEP85130K850nm800~10001.62.290°10002.25mm
                      IEP85120B850nm800~10001.62.2120°10002.20mm
                      IEP85140K850nm800~10001.62.2160°10001.40mm
                      IEP94120K
                      ? ? (双PN结)
                      940nm1600~20002.63.480°10002.45mm
                      IEP94130K
                      ? ? (双PN结)
                      940nm1600~20002.63.490°10002.45mm


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